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IPB108N15N3GATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 214W Tc
Power Dissipation 214W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 160μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3230pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 8V 10V
Fall Time (Typ) 9 ns
Continuous Drain Current (ID) 83A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8m Ω @ 83A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 83A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage 3V
Max Dual Supply Voltage 150V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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