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IPB120N06S4H1ATMA2 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 250W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
Max Dual Supply Voltage 60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 480A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature GREEN
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 30 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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