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IPB180N06S4H1ATMA2
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IPB180N06S4H1ATMA2 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 7 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 250W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 30 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 15 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 180A |
Max Dual Supply Voltage | 60V |
Height | 4.57mm |
Width | 9.45mm |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Weight | 1.59999g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A Tc |
Rise Time | 5ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 60 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Length | 10.31mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPB180N06S4H1ATMA2 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPB180N03S4L-01 | INFINEON | Circuits intégrés spécialisés | 1393 |
IPB180N03S4L-01 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 2019 |
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IPB180N03S4L01ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2583 |
IPB180N03S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IPB180N03S4LH0ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2779 |
IPB180N03S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples |
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