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IPB180P04P403ATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 150W
Turn On Delay Time 48 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A Tc
Rise Time 31ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 81 ns
Continuous Drain Current (ID) 180A
Max Dual Supply Voltage -40V
Drain to Source Breakdown Voltage -40V
Height 4.4mm
Width 9.25mm
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Power Dissipation-Max 150W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 410μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17640pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0028Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 90 mJ
Length 10mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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