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IPB45P03P4L11ATMA1
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IPB45P03P4L11ATMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 58W |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8m Ω @ 45A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A Tc |
Rise Time | 3ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 14 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -45A |
Max Dual Supply Voltage | -30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 110 mJ |
Length | 10mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 58W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 85μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | +5V, -16V |
Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 5V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0111Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 180A |
Height | 4.4mm |
Width | 9.25mm |
Lead Free | Contains Lead |
IPB45P03P4L11ATMA1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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