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IPB60R165CPATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 40 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Position SINGLE
Current Rating 21A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165m Ω @ 12A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 522 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Pin Count 4
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 192W Tc
Power Dissipation 192W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 790μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 21A
Max Dual Supply Voltage 600V
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
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