IPB60R180P7ATMA1 Spécifications techniques

IPB60R180P7ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ P7
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 72W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 280μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 53A
Avalanche Energy Rating (Eas) 56 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180m Ω @ 5.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1081pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.18Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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