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IPB60R280C6ATMA1
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IPB60R280C6ATMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280m Ω @ 6.5A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A Tc |
Rise Time | 11ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 100 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.28Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 284 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 104W Tc |
Power Dissipation | 104W |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 13.8A |
Max Dual Supply Voltage | 600V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPB60R280C6ATMA1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPB600N25N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 23218 |
IPB600N25N3G | INFINOE | Circuits intégrés spécialisés | 8926 |
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