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IPB60R385CPATMA1
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IPB60R385CPATMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Pin Count | 4 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385m Ω @ 5.2A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Tc |
Rise Time | 5ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 9A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Nominal Vgs | 3 V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 83W Tc |
Power Dissipation | 83W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 650V |
REACH SVHC | No SVHC |
IPB60R385CPATMA1 Documents
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Feuilles de données
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