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IPB70N04S3-07 Spécifications techniques

MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 70A 6.8mOhms

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 79W
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2m Ω @ 70A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 70A
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Height 4.4mm
Width 9.25mm
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.29.00.95
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 79W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Max Dual Supply Voltage 40V
Drain-source On Resistance-Max 0.0071Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 145 mJ
Length 10mm
RoHS Status RoHS Compliant
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