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IPB80N06S207ATMA1
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IPB80N06S207ATMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
Part Status | Discontinued |
ECCN Code | EAR99 |
Power Dissipation-Max | 250W Tc |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3m Ω @ 68A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 37ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 61 ns |
Max Dual Supply Voltage | 55V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 36 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPB80N06S207ATMA1 Documents
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Feuilles de données
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