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IPC70N04S54R6ATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 17μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0057Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2016
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 50W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 7V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 70A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
Avalanche Energy Rating (Eas) 32 mJ
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