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IPD031N03LGATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Rise Time 6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.004Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 60 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Pin Count 4
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 94W Tc
Power Dissipation 94W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 90A
Max Dual Supply Voltage 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
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