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IPD048N06L3GBTMA1
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IPD048N06L3GBTMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8m Ω @ 90A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0048Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 115W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 58μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 90A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 360A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 68 mJ |
IPD048N06L3GBTMA1 Documents
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