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IPD068N10N3GATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4910pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Max Dual Supply Voltage 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8m Ω @ 90A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Continuous Drain Current (ID) 90A
Drain-source On Resistance-Max 0.0068Ohm
Lead Free Contains Lead
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