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IPD068P03L3GATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8m Ω @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7720pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 70A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 100W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0068Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 149 mJ
Lead Free Lead Free
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