IPD220N06L3GBTMA1 Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 36W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 11μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Rise Time 3ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 30A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 36W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 19 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.022Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 120A
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