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IPD25CN10NGATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25m Ω @ 35A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A Tc
Rise Time 4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.025Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 65 mJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 71W Tc
Power Dissipation 71W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 39μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 35A
Max Dual Supply Voltage 100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 140A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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