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IPD30N06S2L13ATMA4 Spécifications techniques

INFINEON IPD30N06S2L-13MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 30A
Drain-source On Resistance-Max 0.017Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 240 mJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 136W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Max Dual Supply Voltage 55V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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