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IPD40N03S4L08ATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 13μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 40A
Max Dual Supply Voltage 30V
Height 2.41mm
Width 6.22mm
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 42W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3m Ω @ 40A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A Tc
Rise Time 1ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 160A
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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