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IPD50N06S4L08ATMA2 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Weight 3.949996g
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Channels 1
Turn On Delay Time 9 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 50A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Rise Time 2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 50A
Max Dual Supply Voltage 60V
Rds On Max 7.8 mΩ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1999
Part Status Active
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 71W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 35μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Input Capacitance 4.78nF
RoHS Status ROHS3 Compliant
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