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IPD50R1K4CEAUMA1
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IPD50R1K4CEAUMA1 Spécifications techniques
On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ CE |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Power Dissipation-Max | 42W Tc |
Power Dissipation | 25W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A Tc |
Rise Time | 6ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 13V |
Fall Time (Typ) | 30 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.1A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 550V |
Length | 6.73mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 6.5 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ω @ 900mA, 13V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 178pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 23 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Height | 2.41mm |
Width | 6.22mm |
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