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IPD50R280CEAUMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 773pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 13V
Max Dual Supply Voltage 500V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 42.9A
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 119W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280m Ω @ 4.2A, 13V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.28Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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