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IPD50R380CEBTMA1 Spécifications techniques

MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 73W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 260μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.38Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 500V
FET Feature Super Junction
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series CoolMOS™
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380m Ω @ 3.2A, 13V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 584pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.8nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 13V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 14.1A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 32.4A
Avalanche Energy Rating (Eas) 173 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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