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IPD65R1K4CFDBTMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 700V 2.8A T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Cut Tape (CT)
Series CoolMOS™
Part Status Last Time Buy
ECCN Code EAR99
Number of Elements 1
Turn On Delay Time 8 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 262pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 18.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.8A
Max Dual Supply Voltage 650V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 28.4W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A Tc
Rise Time 6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 700V
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IPD65R1K4CFDBTMA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IPD65R1K4CFDBTMA1 prix de référence. IPD65R1K4CFDBTMA1 paramètres, IPD65R1K4CFDBTMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IPD65R1K4CFDBTMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IPD65R1K4CFDBTMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IPD65R1K4CFDBTMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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