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IPD65R380E6BTMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380m Ω @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-252AA
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 29A
Avalanche Energy Rating (Eas) 215 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 83W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 320μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.38Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 650V
RoHS Status RoHS Compliant
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