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IPD65R420CFDATMA1
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IPD65R420CFDATMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin TO-252 T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 83.3W Tc |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 3.4A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 38 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Input Capacitance | 870pF |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 83.3W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A Tc |
Rise Time | 7ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 8 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 8.7A |
Max Dual Supply Voltage | 650V |
Rds On Max | 420 mΩ |
Lead Free | Lead Free |
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Feuilles de données
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