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IPD65R600E6BTMA1
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IPD65R600E6BTMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600m Ω @ 2.1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.6Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 650V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 63W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 18A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 142 mJ |
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