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IPD70R2K0CEAUMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ω @ 1A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 4A
Drain-source On Resistance-Max 2Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 11 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 42W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 70μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 163pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Max Dual Supply Voltage 700V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6.3A
FET Feature Super Junction
Lead Free Contains Lead
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