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IPD800N06NGBTMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 22 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.08Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Position SINGLE
Pin Count 4
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 47W Tc
Power Dissipation 47W
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 16μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Tc
Rise Time 38ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 27 ns
Continuous Drain Current (ID) 16A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 64A
Avalanche Energy Rating (Eas) 43 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
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