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IPD90N06S4L03ATMA1
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IPD90N06S4L03ATMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 150W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5m Ω @ 90A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 90A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 360A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 331 mJ |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±16V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0035Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPD90N06S4L03ATMA1 Documents
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Feuilles de données
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