IPD90N06S4L03ATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5m Ω @ 90A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 90A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 360A
Avalanche Energy Rating (Eas) 331 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 90μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±16V
Drain-source On Resistance-Max 0.0035Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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