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IPD90N06S4L05ATMA2
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IPD90N06S4L05ATMA2 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6m Ω @ 90A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 90A |
Max Dual Supply Voltage | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 3.949996g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 107W Tc |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 60μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A Tc |
Rise Time | 4ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 80 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0046Ohm |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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