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IPD90N06S4L06ATMA2 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 79W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3m Ω @ 90A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Rise Time 3ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Avalanche Energy Rating (Eas) 67 mJ
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 40μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 90A
Max Dual Supply Voltage 60V
Height 2.41mm
Width 6.22mm
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