IPD90N08S405ATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin TO-252 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 144W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 23 ns
Continuous Drain Current (ID) 90A
Max Dual Supply Voltage 80V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3m Ω @ 90A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 240 mJ
Lead Free Contains Lead
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