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IPDH4N03LAG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 18A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 90A
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 94W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 29 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.0042Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 360A
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish MATTE TIN
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 94W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2m Ω @ 60A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 90A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Avalanche Energy Rating (Eas) 150 mJ
Lead Free Lead Free
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