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IPG16N10S4L61AATMA1
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IPG16N10S4L61AATMA1 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
Number of Pins | 8 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Max Power Dissipation | 29W |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61m Ω @ 16A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 16A |
FET Feature | Logic Level Gate |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 90μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845pF @ 25V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPG16N10S4-61 | infineon/ | Circuits intégrés spécialisés | 2616 |
IPG16N10S461AATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2567 |
IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IPG16N10S461ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2776 |
IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IPG16N10S4L61AATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2651 |
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