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IPG20N04S4L07ATMA1
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IPG20N04S4L07ATMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-Channel 40V MOSFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Power - Max | 65W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2m Ω @ 17A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 20A |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 230 mJ |
FET Feature | Logic Level Gate |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 65W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Turn On Delay Time | 9 ns |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 25V |
Rise Time | 4ns |
Turn-Off Delay Time | 50 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0072Ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPG20N04S4L07ATMA1 Documents
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Feuilles de données
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