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IPG20N06S2L50AATMA1
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IPG20N06S2L50AATMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1997 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 175°C |
Max Power Dissipation | 51W |
Power - Max | 51W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 15A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
Rise Time | 3ns |
Fall Time (Typ) | 10 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 20A |
Max Dual Supply Voltage | 55V |
Input Capacitance | 560pF |
Drain to Source Resistance | 50mOhm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Element Configuration | Dual |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 19μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On Max | 50 mΩ |
Lead Free | Contains Lead |
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