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IPG20N06S2L50ATMA1
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IPG20N06S2L50ATMA1 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2003 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Power - Max | 51W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50m Ω @ 15A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Fall Time (Typ) | 10 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 20A |
Max Dual Supply Voltage | 55V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 60 mJ |
FET Feature | Logic Level Gate |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 51W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Base Part Number | *PG20N06 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Turn On Delay Time | 2 ns |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 19μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
Rise Time | 3ns |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.05Ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPG20N06S2L50ATMA1 Documents
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Feuilles de données
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