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IPG20N06S3L-23 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish MATTE TIN
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 45W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 20μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain-source On Resistance-Max 0.023Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 110 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Max Power Dissipation 45W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *PG20N06
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
Rise Time 35ns
Fall Time (Typ) 75 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 33A
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
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