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IPG20N06S3L-35 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish MATTE TIN
Max Power Dissipation 30W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *PG20N06
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 30W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Drain-source On Resistance-Max 0.035Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 55 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 15μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 20A
DS Breakdown Voltage-Min 55V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
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