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IPG20N10S4L35AATMA1
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IPG20N10S4L35AATMA1 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Max Power Dissipation | 43W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 60 mJ |
FET Feature | Logic Level Gate |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Case Connection | DRAIN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35m Ω @ 17A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 20A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.035Ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPG20N10S4L35AATMA1 Documents
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Feuilles de données
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