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IPI086N10N3GXKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 125W Tc
Power Dissipation 125W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6m Ω @ 73A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 42ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0086Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 75μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Max Dual Supply Voltage 100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 320A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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