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IPI111N15N3GAKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 214W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 160μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3230pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 8V 10V
Fall Time (Typ) 9 ns
Continuous Drain Current (ID) 83A
Max Dual Supply Voltage 150V
Length 10.36mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 214W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1m Ω @ 83A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 83A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 9.45mm
Width 4.52mm
Lead Free Contains Lead
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