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IPI60R280C6XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 104W Tc
Power Dissipation 104W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280m Ω @ 6.5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A Tc
Rise Time 11ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.28Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 284 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 430μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 13.8A
Max Dual Supply Voltage 600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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