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IPI65R099C6XKSA1
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IPI65R099C6XKSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99m Ω @ 12.8A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A Tc |
Rise Time | 9ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 77 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.099Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 845 mJ |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 278W Tc |
Turn On Delay Time | 10.6 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 6 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 38A |
Max Dual Supply Voltage | 650V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 115A |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Feuilles de données
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