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IPI80N06S207AKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Power Dissipation-Max 250W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6m Ω @ 68A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 180μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
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