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IPI80N06S207AKSA2
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IPI80N06S207AKSA2 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 37ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 61 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0066Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 250W Tc |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6m Ω @ 68A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 36 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Max Dual Supply Voltage | 55V |
Radiation Hardening | No |
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Feuilles de données
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