IPI90R800C3XKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 104W Tc
Turn On Delay Time 70 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800m Ω @ 4.1A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 400 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.8Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 157 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 460μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.9A
Max Dual Supply Voltage 900V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 15A
RoHS Status RoHS Compliant
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