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IPL60R360P6SATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ P6
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 89.3W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 370μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 11.3A
Max Dual Supply Voltage 600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 75.891673mg
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-N5
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 4.5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A Tc
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.36Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 247 mJ
Lead Free Contains Lead
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